氧化鋅生長方向在低溫沉積時比較多變

 氧化鋅廠家：氧化鋅納米資料與Cu納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的構(gòu)成首要受溫度的影響。直接在納米碳資料外表成長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導，并且隨堆積溫度的升高氧化鋅的形狀由線到棒最終構(gòu)成顆粒。
　　各種氧化鋅微/納米資料的晶體結(jié)構(gòu)及成長行為，對評論其發(fā)生共同性能的原因，設計新式功用資料，以及進一步拓寬氧化鋅資料的使用領域都有重要意義。
　　氧化鋅是一種具有優(yōu)異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導體資料，多變的形狀結(jié)構(gòu)直接決議其物理性質(zhì)及使用潛力。
　　氧化鋅廠家在高溫堆積時催化劑顆粒出現(xiàn)在納米帶的頂部，納米帶的成長方向受催化劑晶格匹配的影響。研討中還使用催化劑或誘導劑的效果合成了梳子狀氧化鋅資料，并完成了定向成長。
　　氧化鋅成長方向在低溫堆積時比較多變，在高溫堆積時其成長方向僅為10-10或2-1-10.最終，在碳熱復原過程中評論了氧化鋅與炭布、碳納米管（CNTs）及銅納米棒陣列復合資料的成長行為。研討發(fā)現(xiàn)，大尺度炭資料易于與氧化鋅納米資料構(gòu)成復合物。

上一篇：氧化鋅是一種寬帶隙半導體材料

下一篇：氧化鋅的應用歷史